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大多數半導體器件的壽命在正常使用下可超過很多年。 但我們不能等到若干年后再研究器件;我們需要增加施加的應力。 施加的應力可增強或加快潛在的故障機理,幫助找出根本原因,并幫助 TI 采取措施防止故障模式。
在半導體器件中,常見的一些加速因子為溫度、濕度、電壓和電流。 在大多數情況下,加速測試不改變故障的物理特性,但會轉移觀察時間。 加速條件和正常使用條件之間的轉移稱為“降額”。
高加速測試是基于 JEDEC 資質認證測試的關鍵部分。 以下測試反映了基于 JEDEC 規范 JESD47 的高加速條件。 如果產品通過這些測試,則表示器件能用于大多數使用情況。
當靜電荷從一個表面移到另一個表面時,它便成為靜電放電 (ESD),并以微型閃電的形式在兩個表面之間移動。
當靜電荷移動時,就形成了電流,因此可以損害或破壞柵氧化物、金屬層和接點。
JEDEC 通過兩種方式測試 ESD:
一種組件級應力,用于模擬人體放電累積的靜電荷通過器件到地面的行為。